工欲善其事:為什麼 Dk/Df 測試需要高性能的向量網路分析儀 (VNA)?
在 5G 毫米波、6G 亞太赫茲 (Sub-THz) 以及 AI 伺服器高速運算的研發競賽中,材料的介電常數 (Dk) 與 損耗因數 (Df) 是決定訊號完整性的關鍵基因,然而許多工程師在投入鉅資購買精密測試治具(如 SPDR、SCR)的同時,卻往往忽略了核心量測儀器——向量網路分析儀 (Vector Network Analyzer, VNA) 的性能極限,VNA 的動態範圍、頻率穩定度、掃描速度以及毫米波擴充能力,直接決定了能否在雜訊中提取出微弱的介電訊號,本文將深入剖析高性能 VNA 在材料測試中的關鍵角色,探討「動態範圍」如何影響高 Q 值共振腔的解析度,「頻率精準度」如何決定 Dk 的計算誤差,以及先進的「去嵌入演算法」如何還原真實的材料特性。

精準度,始於「尺」的刻度
如果將 Dk/Df 材料測試比喻為一場精密的微創手術,那麼測試治具(如諧振腔或傳輸線)就是手術刀,而向量網路分析儀 (VNA) 則是那雙能夠看穿細微組織的「顯微鏡」;在低頻 (Sub-6GHz) 時代,訊號波長較長,對材料與儀器的誤差容忍度較高,但在頻率跨越 28GHz、60GHz 甚至邁向 110GHz (D-Band) 的今天,物理規則變得殘酷:
- 訊號更微弱:
毫米波在傳輸過程中的衰減極大,對材料損耗 (Df) 的變化極度敏感。 - 誤差被放大: 一個微小的頻率漂移或底噪干擾,經過演算法轉換後,可能導致 Dk 值出現小數點後兩位的錯誤,足以讓天線設計失效。
許多研發團隊常面臨數據「測不準」、「測不穩」或「與模擬對不上」的困境,問題的根源往往不在材料,而在於使用的 VNA 看不清楚。工欲善其事,必先利其器,理解 VNA 性能指標與材料物理量的對應關係,是建立可信實驗室的第一步。

關鍵指標一:動態範圍 (Dynamic Range) 與高 Q 值共振
在量測極低損耗 (Ultra Low Loss) 材料時,我們通常使用高 Q 值 (品質因子) 諧振腔,如分裂柱介電諧振器 (SPDR) 或分裂圓柱諧振器 (SCR)。
為什麼需要「深」的動態範圍?
共振腔法的物理原理是觀察材料放入前後,共振峰的頻率偏移與能量衰減,對於極低損耗材料(例如 Df < 0.002 的 LCP 或 PTFE),其共振峰會非常尖銳且深邃。
- 物理觀念:
想像一個深谷,為了準確量測深谷的深度(這對應到能量損耗的大小),你的量測儀器必須能夠探測到谷底,如果 VNA 的雜訊底層 (Noise Floor) 太高(即動態範圍不足),谷底就會被雜訊淹沒,你看不到真實的最小值。 - 後果:
VNA 測得的訊號如果是雜訊而非真實訊號,計算出的品質因子 (Q值) 就會偏低,導致算出來的材料損耗 (Df) 虛高。這會讓優秀的材料被誤判為不合格。
高性能 VNA 通常具備超過 120 dB 甚至 140 dB 的動態範圍,確保即使在共振峰最深處,訊號依然清晰可見,從而精確解析出 甚至 等級的損耗因數。

關鍵指標二:頻率穩定度與相位雜訊 (Phase Noise)
介電常數 (Dk) 的計算高度依賴於共振頻率的偏移量。
捕捉微米級的頻率移動
在微擾法 (Perturbation Method) 中,放入薄膜樣品後,共振頻率可能僅發生幾 MHz 甚至幾百 kHz 的移動。
- 物理觀念:
這就像是用一把尺去量測頭髮的直徑,如果這把尺的刻度本身就在熱脹冷縮或抖動(頻率漂移),你根本無法讀出正確的數值。 - 相位雜訊的影響:
VNA 訊號源的相位雜訊過大,會導致量測到的共振曲線邊緣模糊、抖動,這會增加頻率鎖定的不確定性。
高階 VNA 採用精密的恆溫晶體振盪器 (OCXO) 或原子鐘等級的參考源,並具備極低的相位雜訊,確保在長時間掃描或溫度循環測試中,頻率軸如同磐石般穩定。這對於分辨不同配方之間微小的 Dk 差異至關重要。

關鍵指標三:毫米波擴充性與架構設計
隨著 6G 研究進入 D-Band (110-170 GHz) 甚至 300 GHz 以上,單機 VNA 已無法滿足需求,必須搭配毫米波轉換器 (Frequency Converter)。
系統整合的挑戰
傳統做法是將低頻 VNA 外掛倍頻模組,但這帶來了操作上的惡夢:
- 功率控制:
毫米波測試需要精確控制打入樣品的功率,避免加熱效應或非線性失真,高性能 VNA 具備自動電平控制 (ALC) 與功率掃描功能,能與外部模組無縫協同。 - 操作介面:
優異的 VNA 能將外部模組「虛擬化」,使用者在操作介面上感覺就像在使用一台直到 1.1 THz 的單機儀器,無需手動計算頻率倍數或複雜的波導校正。

直接接收器存取 (Direct Receiver Access)
對於更進階的應用(如天線量測或負載牽引),具備跳線面板 (Jumper) 或直接接收器存取功能的 VNA,允許使用者繞過內部的耦合器,直接將訊號注入接收端,從而獲得更高的靈敏度與動態範圍,這對於量測高損耗材料或微弱訊號至關重要。
軟實力:去嵌入 (De-embedding) 與自動化運算
硬體提供了原始數據 (S-parameters),但要變成工程師看懂的 Dk/Df,還需要強大的軟體大腦。
消除治具效應
在 PCB 傳輸線測試(如 IPC-TM-650 2.5.5.5 或 Delta-L)中,接頭 (Connector)、轉接板 (Launch) 與探針都會引入寄生電容與電感。
- 物理觀念:
我們想量的是「淨重」,但量測結果包含了「皮重」(治具效應)。 - 解決方案:
高性能 VNA 內建先進的去嵌入演算法(如 IEEE 370 標準、ISD、SFD),透過時域分析 (Time Domain) 與矩陣運算,VNA 能在數學上將治具「剝離」,將量測參考面精確地移動到材料表面,還原真實的阻抗與損耗。

自動化參數提取
傳統手動尋找 3dB 頻寬、計算 Q 值的方式既慢又容易出錯,現代 VNA 整合了智慧型材料軟體:
- NIST 迭代法 / NRW 演算法:
內建於系統中,直接將 S11/S21 轉換為複數介電常數與磁導率。 - 自動追蹤:
在變溫測試中,共振峰會隨溫度移動,智慧軟體能控制 VNA 自動追蹤波峰,無需人工干預即可完成 -50°C 至 +150°C 的全自動測試。

儀器是投資,不是耗材
在「數據驅動研發」的時代,VNA 不再只是一台顯示波形的示波器,它是材料分析系統的運算核心,選擇一台高性能的 VNA,意味著:
- 看見細節: 高動態範圍讓您能開發更低損耗 (Df < 0.001) 的先進材料。
- 相信數據: 高頻率穩定度確保數據的可重複性與實驗室間的一致性。
- 擁抱未來: 靈活的毫米波擴充性,讓您的實驗室能從 5G 平滑升級至 6G 研究。
對於追求極致訊號完整性的研發團隊而言,投資高性能 VNA 與精密治具,是縮短研發週期、避免設計失敗成本的最有效途徑。
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