晶圓表面瑕疵檢查機
高精度 AOI 檢測解決方案
支援 12吋/8吋/6吋 智能切換
整合 Wafer Map 與 SINF 報表輸出的全方位檢測平台
在當今高度精密化的半導體產業中,隨著生產效率與良率要求的提升,傳統的人工目檢已難以滿足晶圓廠與封測廠的需求,而「晶圓表面瑕疵檢查機」是一款專為解決晶圓級(Wafer Level)外觀檢測難題而設計的高階設備,此解決方案的核心價值在於其優異的「一機多用」能力與高度的資料整合性。
在半導體製程中,從晶圓製造(Fab)出貨到封裝測試(OSAT)進料,晶圓表面的微小瑕疵、裂紋或異物都可能導致最終產品失效,該設備利用高解析度工業相機與先進的光學技術,能夠捕捉 0.035 μm² 的極微小瑕疵,並提供從 6 吋到 12 吋晶圓的彈性支援,透過自動化的數據處理與 MES 系統整合,此機台不僅是一個檢測站點,更是串聯製程資訊、提升整體良率管理的關鍵節點,協助客戶在競爭激烈的市場中確保產品的絕對品質。
解決方案特色:光學精度與智能軟體的完美結合
此系統整合了精密光學架構、智能軟體演算法以及彈性的自動化機構,具備以下核心特色,旨在滿足晶圓檢測的多樣化需求:

極致的光學檢測能力
為了捕捉晶圓表面最細微的缺陷,此設備搭載了高規格的光學組件,確保成像的清晰度與判讀的準確性:
- 高畫素工業相機:
採用 12M (1200萬畫素,4000x3000) 的工業級相機,提供大視野與高解析度的影像擷取能力,確保在高速檢測下仍能維持影像細節。 - 多倍率電動鏡頭系統:
配備 5X、10X、20X、50X、100X 的電動選鏡頭模組,使用者可根據瑕疵的大小與檢測需求,自動切換不同倍率,從大範圍掃描到微觀細節確認皆能靈活應對。 - 精密檢測解析度:
系統具備極高的靈敏度,最小可檢測瑕疵面積達 0.035 μm²,且檢測精度達到 0.07 μm(解析度為 0.035 μm²),能有效識別出人眼難以察覺的細微缺陷。 - 優化光源設計:
內建 同軸 LED 光源 (Coaxial LED),提供均勻且高對比的照明環境,特別適用於晶圓表面這類高反光材質的瑕疵特徵提取。
智能化數據處理與報表輸出
在工業 4.0 的架構下,檢測數據的價值在於可追溯性與分析能力,此機台在軟體功能上進行了深度優化:
- Wafer Map 自動產生:
系統檢測後可自動產生 Wafer Map(晶圓圖),直觀顯示晶圓上每一顆 Die(晶粒)的狀態。 - SINF 格式支援:
完整支援半導體業界標準的 SINF text 與 SINF Image 報表格式輸出,這表示檢測結果可以無縫對接後端的 Die Bonder(黏晶機)或 Sorter(分類機),實現自動化剔除不良品。 - 異常 Die 即時查看:
軟體介面允許操作人員針對 Wafer Map 上的異常 Die 進行隨時點選查看,快速確認瑕疵型態,加速製程問題的診斷。 - 完善的 MES 資料整合:
系統可提供原始檢測數據,並能與工廠的 MES(製造執行系統) 進行完善的資料整合,實現生產資訊的即時上傳與管理。
彈性的機構設計與抗震技術
為了適應不同產線的配置與環境,此機台在硬體機構上展現了高度的適應性:
- 一機多用與尺寸切換:
具備 智能檢查切換 功能,單一機台即可支援 12 吋、8 吋及 6 吋 晶圓的檢測,大幅降低客戶針對不同尺寸晶圓需採購多台設備的成本。 - 穩定的防震機制:
針對高倍率檢測對環境振動敏感的問題,系統設計了特殊的防震結構,可防震於量測 50X 以下物件,確保在工廠環境下影像拍攝的穩定性。 - 多樣化的取放方式:
支援 半自動 與 全自動上下料 模式,在手動模式下,可搭配 Wafer Cassette(晶圓盒) 進行操作,滿足研發端小批量或量產端全自動化的不同需求。
解決方案應用:覆蓋半導體前後段製程的關鍵檢測
晶圓表面瑕疵檢查機 的設計初衷是為了覆蓋晶圓流轉過程中的關鍵品質檢查點,其應用領域廣泛且關鍵:
晶圓廠出貨檢查 (OQC - Outgoing Quality Control)
在晶圓製造完成準備出貨給封測廠之前,必須進行嚴格的外觀檢查,此設備能快速掃描整片晶圓,檢測出製程中可能產生的刮傷、汙染或圖形異常,並生成標準的 Wafer Map 與 SINF 檔案隨貨發出,確保出貨品質符合客戶規範。
封測廠來料檢查 (IQC - Incoming Quality Control)
當封測廠(OSAT)接收到晶圓時,透過此機台進行入料檢驗是避免後續製程浪費的關鍵步驟,系統能讀取上游提供的 Map 檔並進行複檢,確認運送過程中是否造成破片或新增瑕疵,確保只有良品進入研磨、切割與封裝製程。
裂片後檢查 (After Dicing Inspection)
晶圓經過切割(Dicing)製程後,Die 的邊緣容易產生崩角(Chipping)或微裂紋,此機台的高倍率鏡頭(最高 100X)與高解析度相機,能夠針對切割後的 Die 進行細緻的表面與邊緣檢查,篩選出切割不良的晶粒,防止其流入後段封裝,提升最終成品的可靠度。

技術規格摘要表
為了讓技術人員快速掌握設備能力,以下彙整本系統的關鍵技術指標,所有數據均基於嚴謹的產品設計規範:
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規格項目 |
詳細參數說明 |
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支援晶圓尺寸 |
12 吋 / 8 吋 / 6 吋 (支援智能切換) |
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影像感測器 |
工業相機 12M 畫素 (解析度 4000 x 3000) |
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光學鏡頭系統 |
電動選鏡頭模組:5X, 10X, 20X, 50X, 100X |
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照明光源 |
內同軸 LED 光源 (Internal Coaxial LED) |
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檢測能力 |
最小可檢測瑕疵:0.035 μm² |
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機構穩定性 |
具備防震設計,可防震於量測 50X 以下物件 |
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上下料方式 |
支援 半自動 / 全自動上下料;手動模式可搭配 Wafer Cassette |
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軟體功能 |
自動產生 Wafer Map、SINF Text、SINF Image<br>支援異常 Die 隨時查看與分析<br>提供檢測數據與 MES 完善資料整合 |
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適用製程 |
晶圓廠出貨檢查、封測廠來料檢查、裂片後檢查 |
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